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Cd1-xZnxTe晶体基片
- 产品概述：
- II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
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晶体名称 | Cd 1-x ZnxTe | 生长方法 | Bridgeman | 结构 | 立方 | 晶格常数(A) | a = 6.483 – 6.446 | 密度 ( g/cm3) | 5.605 | 熔点 (oC) | 1975 | 热容 (J /g.k) | 0.125 | 热膨胀系数(10-6/K) | 6.5 // a 3.7 // c | 类型 | P-型 | 导热系数( W /m.k at 300K ) | 30 | 透明波长（μ） | 0.4 ~ 0.6 | 电阻率（ohm-cm） | 低 R: 5x104 高: R:> 106 | 载体浓度（cm-3） | 低 R: ~ 1015 高: R: ~ 1012 |
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| 产品规格
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常规晶向：<111>； 常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm； 抛光情况：细磨、单抛、双抛； 常规电阻率:R>1x10^6 Ω.cm； 注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋 |
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